• info@matltech.com
  • E2-1-1011 Global Center, No.1700 Tianfu Avenue North, Chengdu 610041, China.
English
wmk_product_02
Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2

Arseniură de cadmiu Cd3As2|GaAs InAs Nb3As2

Descriere

Arseniură de cadmiu Cd3As25N 99,999%,culoare gri închis, cu densitate 6,211g/cm3, punct de topire 721°C, moleculă 487.04, CAS12006-15-4, solubil în acid azotic HNO3 și stabilitate în aer, este un material compus sintetizat de cadmiu și arsen de înaltă puritate.Arseniura de cadmiu este un semimetal anorganic din familia II-V și prezintă efectul Nernst.Cristalul de arseniură de cadmiu crescut prin metoda de creștere Bridgman, structură semimetalică Dirac nestratificată în vrac, este un semiconductor degenerat de tip N II-V sau un semiconductor cu distanță îngustă, cu mobilitate ridicată a purtătorului, masă redusă eficientă și o conducție foarte neparabolică. grup.Arseniură de cadmiu Cd3As2 sau CdAs este un solid cristalin și își găsește din ce în ce mai multă aplicație într-un semiconductor și în câmp fotooptic, cum ar fi detectoarele cu infraroșu care utilizează efectul Nernst, în senzori de presiune dinamică cu peliculă subțire, laser, diode emițătoare de lumină LED, puncte cuantice, pentru face magnetoresistori și în fotodetectoare.Compuși de arsenidă de arsenidă GaAs, arseniură de indiu InAs și arseniură de niobiu NbAs sau Nb5As3găsiți mai multe aplicații ca material electrolit, material semiconductor, afișaj QLED, câmp IC și alte câmpuri de materiale.

Livrare

Arseniură de cadmiu Cd3As2și arseniură de galiu GaAs, arseniură de indiu InAs și arseniură de niobiu NbAs sau Nb5As3la Western Minmetals (SC) Corporation cu 99,99% 4N și 99,999% 5N puritate este în dimensiunea micropulberei policristaline -60 mesh, -80 mesh, nanoparticule, bulgări 1-20 mm, granule 1-6 mm, bucată, blank, cristal în vrac și un singur c etc. ., sau ca specificație personalizată pentru a ajunge la soluția perfectă.


Detalii

Etichete

Specificație tehnică

Compuși de arseniuri

Compuși de arseniuri se referă în principal la elementele metalice și compușii metaloizi, care au compoziția stoechiometrică care se schimbă într-un anumit interval pentru a forma o soluție solidă pe bază de compus.Compusul intermetalic are proprietățile sale excelente între metal și ceramică și devine o ramură importantă a noilor materiale structurale.Pe lângă arseniură de galiu GaAs, arseniură de indiu InAs și arseniură de niobiu NbAs sau Nb5As3poate fi de asemenea sintetizat sub formă de pulbere, granule, bulgări, bar, cristal și substrat.

Arseniură de cadmiu Cd3As2și arseniură de galiu GaAs, arseniură de indiu InAs și arseniură de niobiu NbAs sau Nb5As3la Western Minmetals (SC) Corporation cu 99,99% 4N și 99,999% 5N puritate este în dimensiunea micropulberei policristaline -60 mesh, -80 mesh, nanoparticule, bulgări 1-20 mm, granule 1-6 mm, bucată, blank, cristal în vrac și un singur c etc. ., sau ca specificație personalizată pentru a ajunge la soluția perfectă.

CM-W2

GaAs-W3

Nu.

Articol

Specificație standard

Puritate

Impuritate PPM Max fiecare

mărimea

1

Arseniură de cadmiuCd3As2

5N

 Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0

-60mesh -80mesh pulbere, 1-20mm bulgăre, 1-6mm granule

2

Arseniură de galiu GaAs

5N 6N 7N

 Compoziția GaAs este disponibilă la cerere

3

Arseniură de niobiu NbAs

3N5

 Compoziția NbAs este disponibilă la cerere

4

Arseniură de indiu InAs

5N 6N

 Compoziția InAs este disponibilă la cerere

5

Ambalare

500g sau 1000g în sticlă de polietilenă sau pungă compozită, cutie de carton în exterior

Arseniură de galiu

GaAs

Arseniură de galiu GaAs, un material semiconductor cu decalaj direct compus III–V, cu o structură cristalină de amestec de zinc, este sintetizat prin elemente de galiu și arsen de puritate ridicată și poate fi tăiat și fabricat în napolitană și semifabricat din lingoul unic cristalin crescut prin metoda Vertical Gradient Freeze (VGF) .Datorită mobilității sale saturante și stabilității ridicate la putere și temperatură, acele componente RF, circuite integrate cu microunde și dispozitive LED realizate de acesta obțin performanțe excelente în scenele lor de comunicare de înaltă frecvență.Între timp, eficiența sa de transmisie a luminii UV îi permite, de asemenea, să fie un material de bază dovedit în industria fotovoltaică.Napolitana de arseniu de galiu GaAs de la Western Minmetals (SC) Corporation poate fi livrată cu un diametru de până la 6" sau 150 mm cu puritate 6N 7N, iar substratul de calitate mecanică de arseniură de galiu sunt, de asemenea, disponibile. Între timp, bara policristalină de arseniură de galiu, bulgări și granule etc. cu puritate de 99,999% 5N, 99,9999% 6N, 99,99999% 7N furnizate de Western Minmetals (SC) Corporation sunt, de asemenea, disponibile sau ca specificații personalizate la cerere.

Arseniură de indiu

InAs

Arseniură de indiu InAs, un semiconductor cu bandă interzisă directă care cristalizează în structura de zinc-blendă, compus din elemente de indiu și arsen de înaltă puritate, crescut prin metoda Czochralski încapsulată în lichid (LEC), poate fi tăiat și fabricat în napolitană dintr-un lingou monocristalin.Datorită densității scăzute de dislocare, dar rețelei constante, InAs este un substrat ideal pentru a sprijini în continuare structurile eterogene InAsSb, InAsPSb și InNAsSb sau structura superlatice AlGaSb.Prin urmare, joacă un rol important în fabricarea dispozitivelor care emit infraroșu cu un interval de unde de 2-14 μm.În plus, mobilitatea supremă a halei, dar intervalul de energie îngust al InAs, îi permite, de asemenea, să devină substratul excelent pentru fabricarea componentelor halei sau a altor dispozitive cu laser și radiații.Indium Arsenide InAs la Western Minmetals (SC) Corporation cu puritate de 99,99% 4N, 99,999% 5N, 99,9999% 6N poate fi livrat pe un substrat cu diametrul de 2" 3" 4". ) Corporation este, de asemenea, disponibilă sau ca specificație personalizată la cerere.

Arseniură de niobiu

NbAs-2

NArseniură de iobiu Nb5As3 or NbAs,Solid cristalin alb murdar sau gri, Nr. CAS 12255-08-2, greutate formulă 653,327 Nb5As3și 167.828 NbAs, este un compus binar de Niobiu și Arsenic cu compoziția NbAs,Nb5As3, NbAs4 …etc sintetizat prin metoda CVD, aceste săruri solide au energii de rețea foarte mari și sunt toxice datorită toxicității inerente a arsenului.Analiza termică la temperatură ridicată arată că NdAs a prezentat volatilizare a arsenului la încălzire. Arseniura de niobiu, un semimetal Weyl, este un tip de material semiconductor și fotoelectric în aplicații pentru semiconductori, fotooptice, diode emițătoare de lumină laser, puncte cuantice, senzori optici și de presiune, ca intermediari și pentru fabricarea supraconductoarelor etc. Arsenura de niobiu Nb5As3sau NbA de la Western Minmetals (SC) Corporation cu puritate de 99,99% 4N poate fi livrat sub formă de pulbere, granule, bulgări, țintă și cristal în vrac etc. sau ca specificații personalizate, care ar trebui păstrate într-un loc bine închis, rezistent la lumină. , loc uscat si racoros.

Sfaturi pentru achiziții

  • Probă disponibilă la cerere
  • Livrarea în siguranță a mărfurilor prin curier/aer/mare
  • Managementul calității COA/COC
  • Ambalare sigură și convenabilă
  • Ambalaj standard ONU disponibil la cerere
  • Certificat ISO9001:2015
  • Termeni CPT/CIP/FOB/CFR de Incoterms 2010
  • Termeni flexibili de plată T/TD/PL/C Acceptabil
  • Servicii post-vânzare complet dimensionale
  • Inspecție de calitate de către o unitate de ultimă generație
  • Aprobarea regulamentelor Rohs/REACH
  • Acorduri de nedivulgare NDA
  • Politica de minerale fără conflicte
  • Revizuire regulată a managementului de mediu
  • Îndeplinirea Responsabilității Sociale

Cd2As3 Nb2As3GaAs InAs

  • Anterior:
  • Următorul:

    • produse asemanatoare

    Apăsați Enter pentru a căuta sau Esc pentru a închide
    cod QR