Carbură de siliciu SiC

Descriere

Vafer de carbură de siliciu SiC, este un compus cristalin extrem de dur, produs sintetic de siliciu și carbon prin metoda MOCVD și prezintăintervalul său unic de bandă largă și alte caracteristici favorabile de coeficient scăzut de dilatare termică, temperatură de funcționare mai mare, disipare bună a căldurii, pierderi mai mici de comutare și conducție, mai eficientă energetic, conductivitate termică ridicată și rezistență mai puternică la rupere a câmpului electric, precum și curenți mai concentrați condiție.Carbură de siliciu SiC de la Western Minmetals (SC) Corporation poate fi furnizat în dimensiuni de 2″ 3' 4″ și 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diametru, cu napolitane de tip n, semiizolante sau false pentru industria industrială și aplicații de laborator. Orice specificație personalizată este pentru soluția perfectă pentru clienții noștri din întreaga lume.

Aplicații

Placa SiC cu carbură de siliciu 4H/6H de înaltă calitate este perfectă pentru fabricarea multor dispozitive electronice superioare de ultimă oră, rapide, de înaltă temperatură și de înaltă tensiune, cum ar fi diode Schottky și SBD, MOSFET și JFET cu comutare de mare putere etc. de asemenea, un material de dorit în cercetarea și dezvoltarea tranzistoarelor și tiristoarelor bipolare cu poartă izolată.Fiind un material semiconductor remarcabil de nouă generație, placheta SiC cu carbură de siliciu servește și ca un distribuitor eficient de căldură în componentele LED-urilor de mare putere sau ca un substrat stabil și popular pentru creșterea stratului de GaN în favoarea viitoarelor explorări științifice.

Întrebare acum

Detalii

Etichete

Specificație tehnică

Carbură de siliciu SiC

Carbură de siliciu SiCla Western Minmetals (SC) Corporation poate fi furnizat în dimensiuni de 2″ 3' 4″ și 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diametru, cu napolitană de tip n, semiizolatoare sau false pentru aplicații industriale și de laborator .Orice specificație personalizată este pentru soluția perfectă pentru clienții noștri din întreaga lume.

Formula liniară	Sic
Greutate moleculară	40.1
Structură cristalină	Wurtzite
Aspect	Solid
Punct de topire	3103±40K
Punct de fierbere	N / A
Densitate la 300K	3,21 g/cm³
Decalaj energetic	(3.00-3.23) eV
Rezistivitatea intrinsecă	>1E5 Ω-cm
Numar CAS	409-21-2
Număr CE	206-991-8

Nu.	Articole	Specificație standard
1	Dimensiune SiC	2"	3"	4"	6"
2	Diametru mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Metoda de creștere	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Tip de conductivitate	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Rezistivitate Ω-cm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Orientare	0°±0,5°;4,0° spre <1120>
7	Grosimea μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Locația principală a apartamentului	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Lungime plată primară mm	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Locație secundară a apartamentului	Siliciu cu fața în sus: 90°, în sensul acelor de ceasornic de la plat principal ±5,0°
11	Lungime plată secundară mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm max	15	15	15	15
13	Arca μm max	40	40	40	40
14	Urzeală μm max	60	60	60	60
15	Excluderea muchiei mm max	1	2	3	3
16	Microconducta Densitatea cm-2	<5, industrial;<15, laborator;<50, manechin
17	Dislocare cm-2	<3000, industrial;<20000, laborator;<500000, manechin
18	Rugozitatea suprafeței nm max	1 (lustruit), 0,5 (CMP)
19	Crăpături	Niciuna, pentru calitate industrială
20	Plăci hexagonale	Niciuna, pentru calitate industrială
21	Zgârieturi	≤3mm, lungimea totală mai mică decât diametrul substratului
22	Chipsuri Edge	Niciuna, pentru calitate industrială
23	Ambalare	Recipient de napolitană unică sigilat în pungă din aluminiu compozit.

Carbură de siliciu SiC 4H/6HPlaca de înaltă calitate este perfectă pentru fabricarea multor dispozitive electronice de ultimă oră, rapide, de înaltă temperatură și de înaltă tensiune, cum ar fi diode Schottky și SBD, MOSFET-uri și JFET-uri cu comutare de mare putere etc. Este, de asemenea, un material de dorit în cercetare și dezvoltare de tranzistoare și tiristoare bipolare cu poartă izolată.Fiind un material semiconductor remarcabil de nouă generație, placheta SiC cu carbură de siliciu servește și ca un distribuitor eficient de căldură în componentele LED-urilor de mare putere sau ca un substrat stabil și popular pentru creșterea stratului de GaN în favoarea viitoarelor explorări științifice.