Antimonida de indiu InSb

Descriere

Indium Antimonide InSb, un semiconductor al compușilor cristalini din grupa III-V cu structură de rețea de zinc-blendă, este sintetizat prin elemente de indiu și antimoniu de puritate ridicată 6N 7N și cultivat monocristal prin metoda VGF sau metoda Czochralski LEC încapsulată în lichid din lingoul policristalin rafinat cu zone multiple, care poate fi feliat și fabricat în napolitană și apoi bloc.InSb este un semiconductor de tranziție directă cu o bandă interzisă îngustă de 0,17 eV la temperatura camerei, sensibilitate ridicată la lungimea de undă de 1–5 μm și mobilitate ultra-înaltă.Indium Antimonide InSb de tip n, tip p și conductivitatea semiizolantă la Western Minmetals (SC) Corporation poate fi oferită în dimensiuni de 1″ 2″ 3″ și 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) diametru, orientare < 111> sau <100> și cu finisare a suprafeței de napolitană de tăiat, șlefuit, gravat și lustruit.Este disponibilă și ținta InSb cu antimoniură de indiu de Dia.50-80mm cu tip n nedopat.Între timp, antimoniură de indiu policristalin InSb ( multicristal InSb) cu dimensiunea bulgărului neregulat sau semifabricat (15-40) x (40-80)mm și bara rotundă de D30-80mm sunt, de asemenea, personalizate la cerere pentru soluția perfectă.

Aplicație

Indium Antimonide InSb este un substrat ideal pentru producerea multor componente și dispozitive de ultimă generație, cum ar fi soluție avansată de imagistică termică, sistem FLIR, element Hall și element cu efect de magnetorezistă, sistem de ghidare a rachetei de orientare în infraroșu, senzor fotodetector cu infraroșu foarte sensibil. , senzor de rezistivitate magnetic și rotativ de înaltă precizie, rețele planare focale și, de asemenea, adaptat ca sursă de radiație terahertz și în telescopul spațial astronomic în infraroșu etc.

Întrebare acum

Detalii

Etichete

Specificație tehnică

Antimoniură de indiu

InSb

Substrat cu antimoniură de indiu(Substrat InSb, Wafer InSb) tipul n sau tipul p de la Western Minmetals (SC) Corporation poate fi oferit în dimensiuni de 1" 2" 3" și 4" (30, 50, 75 și 100 mm) diametru, orientare <111> sau <100> și cu suprafata placheta din finisaje lepate, gravate, lustruite.La cerere poate fi furnizata si bara monocristala de antimoniu de indiu (bara monocristala InSb).

Antimoniură de indiuPolicristalin (InSb Policristalin, sau multicristal InSb) cu dimensiunea bulgărului neregulat sau semifabricate (15-40)x(40-80)mm sunt, de asemenea, personalizate la cerere la soluția perfectă.

Între timp, țintă cu antimonidă de indiu (țintă InSb) de Dia.50-80mm cu tip n nedopat este de asemenea disponibilă.

Nu.	Articole	Specificație standard
1	Substrat cu antimoniură de indiu	2"	3"	4"
2	Diametru mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda de creștere	LE C	LE C	LE C
4	Conductivitate	P-tip/Zn, Ge dopat, N-tip/Te-dopat, Nedopat
5	Orientare	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Grosimea μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientare Plată mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identificare Plată mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitate cm2/Vs	1-7E5 N/nedopat， 3E5-2E4 N/Te-dopat, 8-0,6E3 sau ≤8E13 P/Ge-dopat
10	Concentrația purtătorului cm-3	6E13-3E14 N/nedopat, 3E14-2E18 N/Te-dopat, 1E14-9E17 sau <1E14 P/Ge-dopat
11	TTV μm max	15	15	15
12	Arca μm max	15	15	15
13	Urzeală μm max	20	20	20
14	Densitate de dislocare cm-2 max	50	50	50
15	Finisaj de suprafață	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Ambalare	Recipient de napolitană unică sigilat în pungă de aluminiu.

Nu.	Articole	Specificație standard
Nu.	Articole	Indium Antimonid Policristalin	Țintă cu antimoniură de indiu
1	Conductivitate	Nedopată	Nedopată
2	Purtător Concentrație cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilitate cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	mărimea	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Ambalare	În pungă din aluminiu compozit, cutie de carton în exterior

Formula liniară	InSb
Greutate moleculară	236,58
Structură cristalină	Blendă de zinc
Aspect	Cristale metalice gri închis
Punct de topire	527 °C
Punct de fierbere	N / A
Densitate la 300K	5,78 g/cm³
Decalaj energetic	0,17 eV
Rezistivitatea intrinsecă	4E(-3) Ω-cm
Numar CAS	1312-41-0
Număr CE	215-192-3

Antimonida de indiu InSbnapolitana este un substrat ideal pentru producerea multor componente și dispozitive de ultimă generație, cum ar fi soluție avansată de imagistică termică, sistem FLIR, element Hall și element cu efect de magnetorerezistență, sistem de ghidare a rachetei de orientare în infraroșu, senzor fotodetector cu infraroșu foarte sensibil, înaltă -senzor de rezistivitate magnetic și rotativ de precizie, rețele planare focale și, de asemenea, adaptat ca sursă de radiație terahertz și în telescopul spațial astronomic în infraroșu etc.