Fosfură de galiu GaP

Descriere

Fosfura de galiu GaP, un semiconductor important cu proprietăți electrice unice ca și alte materiale compuse III-V, cristalizează în structura cubică ZB stabilă termodinamic, este un material cristalin semitransparent galben-portocaliu cu o bandă interzisă indirectă de 2,26 eV (300K), care este sintetizat din galiu și fosfor de înaltă puritate 6N 7N și crescut în un singur cristal prin tehnica Czochralski încapsulată în lichid (LEC).Cristalul de fosfat de galiu este dopat cu sulf sau teluriu pentru a obține semiconductor de tip n, iar zincul dopat ca conductivitate de tip p pentru fabricarea ulterioară în placă dorită, care are aplicații în sistemele optice, electronice și alte dispozitive optoelectronice.Napolitana unică Crystal GaP poate fi pregătită Epi-Ready pentru aplicația dumneavoastră epitaxială LPE, MOCVD și MBE.Wafer GaP de fosfură de galiu monocristal de înaltă calitate, tip p, tip n sau conductivitate nedopată la Western Minmetals (SC) Corporation poate fi oferit în dimensiuni de 2" și 3" (50 mm, 75 mm diametru), orientare <100>, <111 > cu finisare a suprafeței prin proces de tăiat, lustruit sau epi-gata.

Aplicații

Cu un curent scăzut și o eficiență ridicată în emiterea de lumină, placheta GaP cu fosfură de galiu este potrivită pentru sistemele optice de afișare ca diode emițătoare de lumină (LED-uri) roșii, portocalii și verzi la preț redus și iluminarea de fundal a LCD-urilor galbene și verzi etc. și fabricarea de cipuri LED cu luminozitate scăzută până la medie, GaP este, de asemenea, adoptat pe scară largă ca substrat de bază pentru fabricarea senzorilor infraroșii și a camerelor de monitorizare.

Întrebare acum

Detalii

Etichete

Specificație tehnică

Fosfură de galiu GaP

Placheta GaP de fosfat de galiu monocristal de înaltă calitate sau substrat de tip p, tip n sau conductivitate nedopată la Western Minmetals (SC) Corporation poate fi oferită cu dimensiuni de 2" și 3" (50mm, 75mm) în diametru, orientare <100> , <111> cu finisare a suprafeței de tăiat, șlefuit, gravat, lustruit, procesat epi-gata într-un singur recipient de napolitană sigilat în pungă compozită de aluminiu sau ca specificație personalizată pentru soluția perfectă.

Nu.	Articole	Specificație standard
1	Dimensiunea GAP	2"
2	Diametru mm	50,8 ± 0,5
3	Metoda de creștere	LE C
4	Tip de conductivitate	Tip P/Zn-dopat, N-tip/(S, Si,Te)-dopat, Nedopat
5	Orientare	<1 1 1> ± 0,5°
6	Grosimea μm	(300-400) ± 20
7	Rezistivitate Ω-cm	0,003-0,3
8	Orientare plată (OF) mm	16±1
9	Identificare Plată (IF) mm	8±1
10	Mobilitate hol cm2/Vs min	100
11	Purtător Concentrație cm^-3	(2-20) E17
12	Densitatea luxației cm^-2max	2.00E+05
13	Finisaj de suprafață	P/E, P/P
14	Ambalare	Recipient de napolitană unică sigilat în pungă compozită de aluminiu, cutie de carton în exterior

Formula liniară	Decalaj
Greutate moleculară	100,7
Structură cristalină	Blendă de zinc
Aspectul	Solid portocaliu
Punct de topire	N / A
Punct de fierbere	N / A
Densitate la 300K	4,14 g/cm³
Decalaj energetic	2,26 eV
Rezistivitatea intrinsecă	N / A
Numar CAS	12063-98-8
Număr CE	235-057-2

Napolitană GaP cu fosfură de galiu, cu curent scăzut și eficiență ridicată în emiterea de lumină, este potrivit pentru sistemele de afișare optică, cum ar fi diode emițătoare de lumină (LED-uri) roșii, portocalii și verzi la prețuri reduse și iluminare din spate a LCD-urilor galbene și verzi etc. luminozitate, GaP este, de asemenea, adoptat pe scară largă ca substrat de bază pentru fabricarea senzorilor infraroșii și a camerelor de monitorizare.