Nitrură de galiu GaN

Descriere

Nitrură de galiu GaN, CAS 25617-97-4, masă moleculară 83,73, structură cristalină wurtzită, este un semiconductor cu bandă interzisă direct compus binar din grupa III-V crescut printr-o metodă de proces amonotermă foarte dezvoltată.Caracterizat printr-o calitate cristalină perfectă, conductivitate termică ridicată, mobilitate ridicată a electronilor, câmp electric critic ridicat și bandgap mare, nitrura de galiu GaN are caracteristici de dorit în aplicații optoelectronice și de detectare.

Aplicații

Nitrură de galiu GaN este potrivită pentru producerea componentelor LED-urilor cu diode emițătoare de lumină strălucitoare de mare viteză și de mare capacitate, dispozitive laser și optoelectronice, cum ar fi lasere verzi și albastre, produse cu tranzistoare cu mobilitate ridicată a electronilor (HEMT) și în produse de mare putere. și industria de fabricație a dispozitivelor de înaltă temperatură.

Livrare

Nitrură de galiu GaN de la Western Minmetals (SC) Corporation poate fi furnizată în dimensiunea unei napolitane circulare de 2 inci” sau 4” (50 mm, 100 mm) și a unei plăci pătrate de 10 × 10 sau 10 × 5 mm.Orice dimensiune și specificație personalizate sunt pentru soluția perfectă pentru clienții noștri din întreaga lume.

Întrebare acum

Detalii

Etichete

Specificație tehnică

Nitrură de galiu GaN

Nitrură de galiu GaNla Western Minmetals (SC) Corporation pot fi furnizate napolitane circulare de 2 inch” sau 4” (50mm, 100mm) și pătrate de 10×10 sau 10×5 mm.Orice dimensiune și specificație personalizate sunt pentru soluția perfectă pentru clienții noștri din întreaga lume.

Nu.	Articole	Specificație standard
1	Formă	Circular	Circular	Pătrat
2	mărimea	2"	4"	--
3	Diametru mm	50,8±0,5	100±0,5	--
4	Lungime laterală mm	--	--	10x10 sau 10x5
5	Metoda de creștere	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientare	C-plane (0001)	C-plane (0001)	C-plane (0001)
7	Tip de conductivitate	Tip N/Si-dopat, Nedopat, Semiizolant
8	Rezistivitate Ω-cm	<0,1, <0,05, >1E6
9	Grosimea μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm max	15	15	15
11	Arca μm max	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Finisaj de suprafață	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Rugozitatea suprafeței	Față: ≤0,2 nm, spate: 0,5-1,5 μm sau ≤0,2 nm
15	Ambalare	Recipient de napolitană unică sigilat în pungă de aluminiu.

Formula liniară	GaN
Greutate moleculară	83,73
Structură cristalină	Blendă de zinc/Wurtzit
Aspect	Solid translucid
Punct de topire	2500 °C
Punct de fierbere	N / A
Densitate la 300K	6,15 g/cm³
Decalaj energetic	(3,2-3,29) eV la 300K
Rezistivitatea intrinsecă	>1E8 Ω-cm
Numar CAS	25617-97-4
Număr CE	247-129-0

Nitrură de galiu GaNeste potrivit pentru producția de componente de ultimă oră cu diode emițătoare de lumină strălucitoare cu LED-uri, dispozitive laser și optoelectronice, cum ar fi lasere verzi și albastre, produse cu tranzistoare cu mobilitate ridicată a electronilor (HEMT) și în produse de mare putere și mare industria producătoare de dispozitive de temperatură.