Antimoniură de galiu GaSb

Descriere

Antimoniură de galiu GaSb, un semiconductor al compușilor din grupa III-V cu structură de rețea de zinc-blendă, este sintetizat prin elemente de galiu și antimoniu de înaltă puritate 6N 7N și crescut la cristal prin metoda LEC din lingoul policristalin congelat direcțional sau metoda VGF cu EPD<1000cm^-3.Placa de GaSb poate fi tăiată și fabricată ulterior din un singur lingot cristalin, cu o uniformitate ridicată a parametrilor electrici, structuri de rețea unice și constante și densitate scăzută a defectelor, cel mai mare indice de refracție decât majoritatea celorlalți compuși nemetalici.GaSb poate fi procesat cu o gamă largă de orientare exactă sau off, concentrație dopată scăzută sau mare, finisare bună a suprafeței și pentru creșterea epitaxială MBE sau MOCVD.Substratul de antimonidă de galiu este utilizat în cele mai de ultimă oră aplicații foto-optice și optoelectronice, cum ar fi fabricarea de detectoare foto, detectoare infraroșii cu durată lungă de viață, sensibilitate și fiabilitate ridicate, componentă fotorezistentă, LED-uri și lasere infraroșii, tranzistori, celule fotovoltaice termice. și sisteme termo-fotovoltaice.

Livrare

Gallium Antimonide GaSb de la Western Minmetals (SC) Corporation poate fi oferit cu conductivitate semiizolantă de tip n, tip p și nedopată în dimensiuni de 2” 3” și 4” (50mm, 75mm, 100mm), orientare <111> sau <100>, și cu finisaj de suprafață de napolitană de finisaje as-cut, gravate, lustruite sau gata de epitaxie de înaltă calitate.Toate feliile sunt marcate cu laser individual pentru identitate.Între timp, bulgărele GaSb de antimoniură de galiu policristalin este, de asemenea, personalizat la cerere la soluția perfectă.

Întrebare acum

Detalii

Etichete

Specificație tehnică

Antimonida de galiu

GaSb

Antimoniură de galiu GaSbsubstratul este utilizat în cele mai de ultimă oră aplicații foto-optice și optoelectronice, cum ar fi fabricarea de detectoare foto, detectoare infraroșii cu durată lungă de viață, sensibilitate și fiabilitate ridicate, componentă fotorezistentă, LED-uri și lasere infraroșii, tranzistori, celule fotovoltaice termice și termo. -sisteme fotovoltaice.

	Articole	Specificație standard
1	mărimea	2"	3"	4"
2	Diametru mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda de creștere	LE C	LE C	LE C
4	Conductivitate	Tip P/Zn-dopat, Ne-dopat, N-tip/Te-dopat
5	Orientare	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Grosimea μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientare Plată mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identificare Plată mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitate cm2/Vs	200-3500 sau după cum este necesar
10	Concentrația purtătorului cm-3	(1-100)E17 sau după cum este necesar
11	TTV μm max	15	15	15
12	Arca μm max	15	15	15
13	Urzeală μm max	20	20	20
14	Densitate de dislocare cm-2 max	500	1000	2000
15	Finisaj de suprafață	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Ambalare	Recipient de napolitană unică sigilat în pungă de aluminiu.

Formula liniară	GaSb
Greutate moleculară	191,48
Structură cristalină	Blendă de zinc
Aspect	Solid cristalin gri
Punct de topire	710°C
Punct de fierbere	N / A
Densitate la 300K	5,61 g/cm³
Decalaj energetic	0,726 eV
Rezistivitatea intrinsecă	1E3 Ω-cm
Numar CAS	12064-03-8
Număr CE	235-058-8

Antimoniură de galiu GaSbla Western Minmetals (SC) Corporation poate fi oferită cu conductivitate semiizolantă de tip n, tip p și nedopată în dimensiuni de 2” 3” și 4” (50mm, 75mm, 100mm), orientare <111> sau <100 > și cu finisaj de suprafață de napolitană din finisaje as-cut, gravate, lustruite sau gata de epitaxie de înaltă calitate.Toate feliile sunt marcate cu laser individual pentru identitate.Între timp, bulgărele GaSb de antimoniură de galiu policristalin este, de asemenea, personalizat la cerere la soluția perfectă.